讓您的電腦變輕又變快 Let your computer lighter and faster

3D XPOINT

2015年7月28日英特爾公司和美光科技公司今天推出3D XPOINT™技術

儲存的資料比 DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的1千倍

壽命比機械硬碟還長

交叉點陣列結構
字組線word line與位元線bit line的交叉點上，系統因此得以單獨存取每個儲存單元，當系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序將變得更快，目前官方給的訊息，記憶體儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆疊，目前初步技術堆疊至兩層，每個晶粒能儲存 128Gb，未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量

堆疊
初始技術的128GB存儲芯片每跨兩個堆疊存儲層。這種技術可以提高的存儲器層的數目或使用傳統的光刻間距縮放以增加管芯的容量。

選擇
存儲器單元進行存取，並通過改變電壓發送到每個選擇器的金額寫入或讀取。不需要電晶體，增加容量並降低成本。

快速開關單元
使用小單元尺寸，快速開關選擇器，低延遲交叉點陣列，並快速寫入算法中，細胞是能夠今天更快切換狀態比任何現有的非易失性存儲器技術。